Зображення та аналіз ПЕМ

TEM (яскраві-зображення, поза-темні-польові зображення, центральні темно-польові зображення, зображення з високою-роздільністю, слабкі-темні-польові зображення); STEM (зображення HAADF, зображення DF, зображення BF, енергетичні спектри EDS, зображення iDPC); дифракція (селективна дифракція, дифракція збіжного-променя, дифракція нанопроменя)

Сектори, пов’язані-з мікросхемами (виробники пластин, виробники напівпровідникового обладнання, компанії з розробки мікросхем тощо); Сектори-, пов’язані з матеріалами (університети, науково-дослідні інститути та науково-дослідні підприємства).

Типовий час обробки: 5-7 робочих днів.

Через посилення технологічних блокувань за кордоном вітчизняні високо{0}}технологічні підприємства приділяють більшу увагу незалежним можливостям досліджень і розробок мікросхем, що сприяло буму внутрішнього виробництва напівпровідникового обладнання. Оскільки процеси виробництва мікросхем продовжують скорочуватися, розробка мікросхем і напівпровідникового обладнання все більше покладається на мікроскопічні аналітичні інструменти, такі як TEM. Трансмісійна електронна мікроскопія (ТЕМ) відіграє незамінну роль у дослідженні та розробці матеріалів. Він надає важливу мікроскопічну структурну інформацію-включаючи кристалічні структури, дефекти, елементний склад і концентрації-, що допомагає аналізувати властивості та поведінку матеріалу. Техніка також

полегшує дослідження фазових переходів і процесів дифузії, пропонуючи цінну інформацію для розробки та оптимізації матеріалів.

Guangdian Metrology спеціалізується на технології тестування TEM-аналізу, маючи-провідну в галузі експертну команду та сучасне обладнання для аналізу TEM (Talos F200X G2). Ми надаємо індивідуальні рішення для тестування аналізу TEM, адаптовані до потреб різних клієнтів у дослідженнях і розробках. Наша компанія володіє можливостями аналізу FIB-TEM для передових процесів до 7 нм і нижче.

Популярні Мітки: темне зображення та аналіз, постачальник послуг темного зображення та аналізу в Китаї